• Работа в Государственной Корпорации "Росатом",
• Официальное трудоустройство (согласно ТК РФ, работа строго в соответствии с российским законодательством);
•  Заработная плата: оклад + премия + KPI (премирование за эффективность по итогам года);
•  Молодой коллектив и молодые руководители (средний возраст - 35 лет);
• Интересные задачи, повышение квалификации и возможности профессионального роста и развития;
• Возможность поступить в аспирантуру на базе профильных ВУЗов;
•  Насыщенная корпоративная жизнь: конкурсы, праздники, поездки, подарки детям, спортивные мероприятия
•  Соцпакет: ДМС (включая стоматологию), фитнес, корпоративный транспорт, помощь в размещении и программа материальной помощи молодым специалистам при найме жилья и пр.
•  Для молодых специалистов ведет активную деятельность Совет Молодых Работников.
•  Карьерный рост и профессиональное развитие возможность обучения в корпоративной академии "Росатома" и за счет работодателя.
• Корпоративная культура и ценности., корпоративные мероприятия.

1. Контроль прохождения партий изготавливаемых методом жидкофазной эпитаксии GaAs (LPE-GaAs) полупроводниковых структур (диоды, транзисторы и т. д.) по технологическому маршруту;
2. Измерение и анализ параметров эпитаксиальных полупроводниковых структур и исходных подложек (удельное сопротивление, концентрация, подвижность и время жизни носителей заряда, визуальный и геометрический контроль, измерение емкости, ВАХ);
3. Анализ и выявление причин брака, участие в разработке мероприятий по предупреждению и устранению брака;
4. Разработка технологических маршрутов изготовления изделий, разработка и освоение новых технологических процессов, и внедрение их в производство;
5. Выполнение НИР и ОКР по разработке новых эпитаксиальных полупроводниковых структур полупроводниковых приборов, постановка на производство новых изделий;
6. Разработка конструкторской и технологической документации, проведение изменений в документации, разработка технологических инструкций, маршрутных и операционных карт.

Наши ожидания от кандидата

• Высшее образование по направлению: «материаловедение полупроводников и диэлектриков», «технология материалов электронной техники», «микроэлектроника и твердотельная электроника»; - знание технологии роста эпитаксиальных полупроводниковых структур;
• Знание измерений параметров полупроводниковых материалов и структур;
• Знание физических основ работы полупроводниковых приборов (диоды, транзисторы и т.д.);
• Знание нормативной документации и методов контроля качества;
• Знание принципов работы технологического оборудования полупроводникового производства;
• Знание порядка проведения НИР и ОКР по разработке полупроводниковых приборов и микросхем;
• Опыт работы в области изготовления эпитаксиальных полупроводниковых структур.